2026年7月8日，国家科学技术奖励大会、两院院士大会、中国科协第十一次全国代表大会在北京隆重召开。会上传来振奋人心的消息——南昌大学江风益院士团队完成的“V缺陷三维PN结及应用”项目，荣获2025年度国家自然科学奖一等奖。

这是江西省首次获得国家自然科学奖一等奖，实现了该奖项“零的突破”。国家自然科学奖是我国基础科学研究领域的最高荣誉，2025年度全国仅颁发3项一等奖。这一殊荣，标志着江西在原始创新领域实现了里程碑式的跨越。

化“缺陷”为优势，开辟全新技术路线

长期以来，氮化镓芯片内部的“V缺陷”被全球学界和产业界认定为性能缺陷，行业都在全力消除它。然而，江风益团队经过长期研究，逆向创新，首次揭示V缺陷不仅不是有害结构，反而能够形成天然的三维PN结。

项目发现，在材料量子阱区域，位错诱导形成的大尺寸V缺陷三维结构，具有增强空穴注入量子阱和提高量子阱质量等有益作用，彻底打破了“位错缺陷越少越好、越小越好”的传统认知。团队提出了V缺陷三维PN结理论方法，使PN结界面由二维发展到三维，空穴注入量子阱的路径从势垒高的极性面转变为势垒低的半极性面，使V缺陷从有“大害”到有“小害”，最终发展为有“大用”。

从实验室到商品化，成果惠及国计民生

该项目深耕硅基氮化镓LED，跳出国外技术路线的延长线，走出了一条完全自主研发的新路径。项目开拓了无荧光粉纯芯片LED照明技术路线，产品已批量应用于路桥照明和氛围照明等场景。项目显示芯片批量应用于特种专项装备，并实现了硅基氮化镓LED与硅基电路晶圆级集成，研制成功微型显示屏及首款黄光AR眼镜。项目从基础研究起步，做到了商品化，真正实现了产学研用的全链条贯通。

项目在非共识路线上提出的理论方法，获得国际同行广泛认可，并被推广应用到量大面广的共识路线，有力推动了半导体发光学科和半导体照明显示产业发展。

三十余载“追光”路，彰显科学家精神

这一重大突破的背后，是江风益团队三十余年如一日的坚守。从1980年求学吉林大学物理系，到扎根江西从事半导体发光研究；从2004年国际上率先突破高效硅基氮化镓蓝光LED技术，到如今斩获国家自然科学奖一等奖——江风益带领团队，闯出了一条属于我国自主创新的半导体照明芯片技术道路。

江风益曾说： “科研中逻辑思维、传统认知固然重要，但原始创新更需要打破固有认知的辩证思维。” 正是这种不盲从权威、敢于逆向创新的精神，让团队在2008年意外发现V缺陷的正向作用后，经过持续攻关，最终将“有害”化为“有用”，攻克了五十多年未能解决的高效黄光LED技术难题。

让我们向江风益院士团队致以最热烈的祝贺！向所有在科研一线默默耕耘的科技工作者致敬！从红土地走出来的“中国芯”，正在照亮世界。